Toshiba memorija predstavlja XL-Flash-A rješenje u polju memorijske klase

Toshiba Memory Europe TME danas je najavio pokretanje novog rješenja u polju memorije memorije SCM -xl-Flash ™. Stvorena je na temelju TME inovacijske tehnologije-3D-Flash-Memory BICS Flash ™ s postavljanjem 1 bit podataka u ćeliji SLC -i pruža nisko kašnjenje i visoke performanse u potražnji u podatkovnim centrima i korporativnom pohranu objekti.

Rješenje XL-flash-a, koja je memorija trezora trezora ili memorije koja ovisi o energiji, može održati sadržaj slično kao NAND Flash memorija i eliminirati jaz u performansama između memorije DRAM-a i NAND-a tipovi. Energija -ovisna memorija, uključujući DRAM, pruža potrebnu brzinu pristupa podacima za aplikacije s visokim zahtjevima, ali takve su učinke povezane s visokim troškovima. Kada troškovi DRAM rješenja u izračunavanju bita podataka postaju previsoki, a mogućnosti skaliranja dođu do niže, razina SCM-a u hijerarhiji uređaja za pohranu omogućuje vam da riješite ovaj problem nudeći ekonomski učinkovito rješenje u obliku nehlapljive NAND flash memorije s velikom gustoćom pohrane podataka. Analitička tvrtka IDC predviđa širenje tržišta SCM uređaja do više od 3 milijarde američkih dolara u 2023. [1].

Zauzimajući nišu između DRAM i NAND Flash memorije, rješenje XL-Flash pruža brzinu, smanjenje kašnjenja i povećanje količine uređaja za pohranu podataka s nižim troškovima u usporedbi s tradicionalnom DRAM memorijom. XL-Flash će se u početku proizvesti u SSD formatu, ali nakon toga može se implementirati u formatu uređaja povezanih s memorijskim kanalom na DRAM sabirnici, poput energetski ovisnih o modulima memorije NVDIMM , koji bi trebao postati industrijski industrijski Standard u budućnosti.

Ključne značajke:

· Kristal kapaciteta od 128 gigabita GB modul od 2, 4 ili 8 kristala ;

· Veličina stranice 4 kb za povećanje učinkovitosti čitanja i snimanja operativnog sustava;

· 16-slijeda arhitektura za učinkovitiji paralelni rad;

· Vrijeme niskog čitanja i programiranja: XL-flash memorija ima nisko odgodu očitanja bez 5 mikrosekundi, što je oko 10 puta brže u usporedbi s postojećom TLC memorijom.

Kao tvorac NAND Flash memorije, prva tvrtka koja je predstavila tehnologiju 3D-Flash memorije i lidera u promjeni tehnoloških procesa, kompanija Tosiba Memory je u najpovoljnijim uvjetima za objavljivanje SCM uređaja na temelju SLC-a Memorija, posjedovanje formirane proizvodne infrastrukture. Skaliranje i vremenski uvjeta pouzdanosti memorije oslobađanja SLC -a.

“XL-Flash je najproduktivnije NAND rješenje koje je danas proizvedeno zahvaljujući našoj Blash Flash Flash memoriji koja djeluje u SLC načinu rada”, rekao je Axel Stoermann, potpredsjednik Toshiba Memory Europe. – objavivši samo jedan bit u ćeliji, uspjeli smo značajno povećati performanse. A budući da se XL-flash memorija temelji na dokazanim tehnologijama, koje se već koriste u serijskoj proizvodnji, koristeći XL-Flash kao rješenje memorije skladišta naših kupaca moći će smanjiti vrijeme za izlazno vrijeme na tržište ”.

Isporuke uvodnih uzoraka započet će u rujnu 2023., A početak serijske proizvodnje zakazan je za 2023. godinu.